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SiCp/AZ91D复合材料真空压力浸渗制备工艺及微观组织的研究
引用本文:刘文娜,余欢,徐志锋,汪志太,胡美忠,蔡长春.SiCp/AZ91D复合材料真空压力浸渗制备工艺及微观组织的研究[J].铸造,2008,57(5):461-465.
作者姓名:刘文娜  余欢  徐志锋  汪志太  胡美忠  蔡长春
作者单位:南昌航空大学材料科学与工程学院,江西,南昌,330063
摘    要:采用真空压力浸渗装置制备SiCp/AZ91D复合材料。对制备工艺进行了改进,提出了以SiC颗粒覆盖法保护镁合金熔体的措施,可以有效解决熔剂覆盖法易造成的熔剂夹杂问题;在压力0.4MPa、浸渗温度700℃、保压5min的条件下,制备SiC单一颗粒尺寸为5μm、体积分数为44.7%的SiCp/Mg复合材料;并且成功制备32μmSiC单一颗粒体积分数为56.4%的SiCp/AZ91D复合材料。经过光镜、扫描电镜和X射线衍射仪分析表明,采用SiC颗粒覆盖法制备SiCp/AZ91D复合材料组织致密、无明显孔洞及夹杂等铸造缺陷,有新相Mg2Si生成。

关 键 词:真空压力浸渗  SiCp/AZ91D复合材料  制备工艺  SiCp  复合材料组织  真空  压力浸渗  制备工艺  微观组织  研究  Process  Microstructures  Pressure  Infiltration  Vacuum  铸造缺陷  孔洞  法制  覆盖法  分析表  衍射仪  射线  扫描电镜  光镜
文章编号:1001-4977(2008)05-0461-05
修稿时间:2008年1月10日

Microstructures and Fabricating Process of SiCp/AZ91D Composites by Vacuum Pressure Infiltration
LIU Wen-na,YU Huan,XU Zhi-feng,WANG Zhi-tai,HU Mei-zhong,CAI Chang-chun.Microstructures and Fabricating Process of SiCp/AZ91D Composites by Vacuum Pressure Infiltration[J].Foundry,2008,57(5):461-465.
Authors:LIU Wen-na  YU Huan  XU Zhi-feng  WANG Zhi-tai  HU Mei-zhong  CAI Chang-chun
Abstract:
Keywords:
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