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| 钨硅／砷化镓肖特基接触的热稳定性分析 | |
| 引用本文： | 孙铁囤,郭里辉.钨硅／砷化镓肖特基接触的热稳定性分析[J].微电子学,1997,27(2):94-97. |
| 作者姓名： | 孙铁囤 郭里辉 |
| 作者单位： | 上海交通大学应用物理系微电子技术研究所 |
| 摘 要： | 研究了以ＷＳｉ０．６复合材料作为靶源，采用直流空溅射工艺成膜，不同退火温度下ＧａＡｓ衬底材料上ＷＳｉ０．６膜层的特性。包括ＷＳｉ０．６／ＧａＡｓ系统断面ＳＥＭ分析，ＡＥＳ界面机构分析、表面形貌分析及金属－半导体肖特基势垒特性分析，实验结果表明，在氩气压力为１３３Ｐdisplay status |
| 关 键 词： | 肖特基接触 栅材料 钨硅／砷化镓 热稳定性 |
The High Temperature Stability of WSi/GaAs Schottky Contact |
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| SUN Tie Tun and GUO Li Hui Microelectronic Technique Center,Shanghai Jiaotong University,Shanghai.The High Temperature Stability of WSi/GaAs Schottky Contact[J].Microelectronics,1997,27(2):94-97. | |
| Authors: | SUN Tie Tun and GUO Li Hui Microelectronic Technique Center Shanghai Jiaotong University Shanghai |
| Affiliation: | SUN Tie Tun and GUO Li Hui Microelectronic Technique Center,Shanghai Jiaotong University,Shanghai 200052 |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaAs MESFET WSi film Schottky contact Refractory metal Gate material |
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