| 用于自对准提升硅化物结构的Co/Si/Ti/Si及Co/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究 |
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| 引用本文： | 屈新萍,茹国平,刘建海,房华,徐鸿涛,李炳宗.用于自对准提升硅化物结构的Co/Si/Ti/Si及Co/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究[J].半导体学报,2000,21(2):197-203. |
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| 作者姓名： | 屈新萍 茹国平 刘建海 房华 徐鸿涛 李炳宗 |
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| 作者单位： | 复旦大学电子工程系!上海200433(屈新萍，茹国平，房华，徐鸿涛，李炳宗)，上海先进半导体材料公司!上海200233(刘建海) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69776005; |
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| 摘 要： | 为了减小硅化物形成过程中消耗的衬底硅，提出添加非晶Ｓｉ的新方法，并探索了Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ及Ｃｏ／Ｓｉ（×７）／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜固相反应的两种途径．实验采用四探针、ＸＲＤ、ＲＢＳ等多种方法对固相反应过程进行了研究，对反应形成的ＣｏＳｉ２薄膜进行了测试分析，并探索了在ＳｉＯ２／Ｓｉ及图形片上的选择腐蚀工艺．结果表明，当选择合适的Ｃｏ∶Ｓｉ原子比，恰当的两步退火方式及选择腐蚀溶液，两种方法都可以形成自对准硅化物结构．研究了这两种固相反应过程，发现在一定的Ｃｏ∶Ｓｉ原子比范围内，这两种方法制备的ＣｏＳｉ２
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| 关 键 词： | 固相反应 硅化物 自对准 多层薄膜 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)02-0197-07 |
| 修稿时间： | 1998年8月17日 |
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