用于自对准提升硅化物结构的Co/Si/Ti/Si及Co/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究 |
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作者姓名: | 屈新萍 茹国平 刘建海 房华 徐鸿涛 李炳宗 |
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作者单位: | 复旦大学电子工程系!上海200433(屈新萍,茹国平,房华,徐鸿涛,李炳宗),上海先进半导体材料公司!上海200233(刘建海) |
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基金项目: | 国家自然科学基金;69776005; |
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摘 要: | 为了减小硅化物形成过程中消耗的衬底硅,提出添加非晶Si的新方法,并探索了Co/Si/Ti/Si及Co/Si(×7)/Ti/Si多层薄膜固相反应的两种途径.实验采用四探针、XRD、RBS等多种方法对固相反应过程进行了研究,对反应形成的CoSi2薄膜进行了测试分析,并探索了在SiO2/Si及图形片上的选择腐蚀工艺.结果表明,当选择合适的Co∶Si原子比,恰当的两步退火方式及选择腐蚀溶液,两种方法都可以形成自对准硅化物结构.研究了这两种固相反应过程,发现在一定的Co∶Si原子比范围内,这两种方法制备的CoSi2
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关 键 词: | 固相反应 硅化物 自对准 多层薄膜 |
文章编号: | 0253-4177(2000)02-0197-07 |
修稿时间: | 1998-08-17 |
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