| Ge/Si薄膜材料生长的偏压效应研究 |
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| 引用本文： | 毛旭,周湘萍,王勇,杨宇.Ge/Si薄膜材料生长的偏压效应研究[J].功能材料,2001,32(6):614-616. |
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| 作者姓名： | 毛旭 周湘萍 王勇 杨宇 |
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| 作者单位： | 云南大学材料科学与工程系, |
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| 摘 要： | 利用超高真空磁控浅射系统生长了不同偏压下Ge／Si薄膜材料，所生长的材料采用了不加偏压和加偏压的生长环境。通过X射线小角衍射分析表明，加一定偏压的Ge／Si薄膜材料的层状远比不加偏压的材料好，并且加偏压可有效降低材料的生长温度。在加15－25V偏压明，获得了300℃的生长温度下，层状优良，粗糙度小的薄膜材料。
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| 关 键 词： | 偏压 X射线小角衍射 磁控溅射 锗／硅薄膜 |
| 文章编号： | 1001-9731(2001)06-0614-03 |
| 修稿时间： | 2000年7月24日 |
The research of bias effect in fabricating Ge/Si thin film |
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| MAO Xu,ZHOU Xiang ping,WANG Yong,YANG Yu.The research of bias effect in fabricating Ge/Si thin film[J].Journal of Functional Materials,2001,32(6):614-616. |
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| Authors: | MAO Xu ZHOU Xiang ping WANG Yong YANG Yu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge/Si thin film bias small angel X ray diffraction magnetron sputtering |
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