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| 异质结光电器件的液相外延生长 | |
| 引用本文： | 庄婉如.异质结光电器件的液相外延生长[J].激光与红外,1985(10). |
| 作者姓名： | 庄婉如 |
| 作者单位： | 中科院半导体所 |
| 摘 要： | 自60年代以来,在Ⅲ-Ⅴ族化合物衬底上利用液相外延(LPE)生长工艺已经研制和生产了许多半导体光电器件。采用异质结的器件在其中占有极其重要的作用。这些器件包括发光管、激光器、探测器、太阳能电池、半导体光阴极以及化合物光电集成等等。本文将就LPE生长的原理、方法、装置以及生长质量等问题进行一些简述。一、前言制作光电器件选择哪类异质结的依据:1.有源层要满足合适的带隙,以便发射和吸收合适波长的光。波长与带隙的关系为2.异质结两侧材料的晶格常数必须尽量接近,才能得到匹配完整的异质结,以减少由失配位错引起的复合中心或散射中 |
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