SiC颗粒及晶须增强铝基复合材料的比较研究 |
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作者姓名: | 古宏伟 吴自勤 |
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作者单位: | 北京有色金属研究总院,北京有色金属研究总院,北京有色金属研究总院,北京有色金属研究总院,北京有色金属研究总院,中国科技大学 100088,100088,100088,100088,100088 |
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摘 要: | 研究了用粉末冶金法制备碳化硅颗粒(SiC_p)及晶须(SiC_w)增强铝基复合材料的组织和性能,SiC_p 对基体流变应力的贡献高于 SiC_w,这是由于大部分 SiC_w 偏聚,未起到增强作用。估算发观,SiC_w 的偏聚量为全部加入量的3/4。SEM 观察发现,在断口表面的孔洞附近有大量的 SiC_w,而 SiC_p/Al 中类似孔洞很少。TEM 对其微观结构的观察发现 SiC_w、SiC_p 附近的位错密度很高,在较远的区域位错密度则低得多,对加工硬化贡献的不同是由于 SiC_w、SiC_p 加入后带来的位错密度增加量的不同。
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关 键 词: | 碳化硅颗粒 晶须 铝基复合材料 |
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