考虑电磁场耦合的磁性元件近场耦合模型 |
| |
引用本文: | 谢静逸,陈为,陈庆彬,何谋.考虑电磁场耦合的磁性元件近场耦合模型[J].中国电机工程学报,2022(13):4652-4665. |
| |
作者姓名: | 谢静逸 陈为 陈庆彬 何谋 |
| |
作者单位: | 1. 福建工程学院电子电气与物理学院;2. 福州大学电气工程与自动化学院 |
| |
基金项目: | 福建工程学院科研启动基金(GY-Z20017);;国家自然科学基金项目(51777036)~~; |
| |
摘 要: | 功率变换器的电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)问题逐渐往高频发展。作为变换器的重要组成部分,磁性元件近场耦合问题在高频下较为复杂,是研究的重难点。传统的分析认为磁性元件之间的近场耦合主要表现为磁耦合,但实验测试和分析表明,在传导EMI关注的高频段,磁性元件之间的电场耦合已凸显影响。文中提出一种新的磁性元件近场耦合电路模型,同时考虑电场耦合和磁场耦合及场耦合损耗,并给出近场耦合模型参数提取方法。测量结果与所建立的近场耦合模型计算结果在传导频段具有很好的一致性,验证了所提出的近场模型的有效性和准确性。
|
关 键 词: | 近场耦合模型 磁性元件 电磁干扰 功率变换器 电磁场耦合 |
|
|