| 部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应 |
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| 引用本文： | 李宁,张国强,刘忠立,范楷,郑中山,林青,张正选.部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应[J].半导体学报,2005,26(2):349-353. |
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| 作者姓名： | 李宁 张国强 刘忠立 范楷 郑中山 林青 张正选 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083
(李宁，张国强，刘忠立，范楷，郑中山)，中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
(林青，张正选)，中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050(林成鲁) |
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| 摘 要： | 研究了采用向SIMOX圆片埋氧层中注入F离子的方法来改善SIMOX的抗总剂量辐射能力，通过比较未注F样品和注F样品的辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压，发现F具有抑制辐射感生PMOSFET和NMOSFET阈值电压漂移的能力，并且可以减小NMOSFET中由辐照所产生的漏电流。说明在SOI材料中前后Si/Si02界面处的F可以减少空穴陷阱浓度，有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力。
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| 关 键 词： | SIMOX 氟 总剂量辐射 部分耗尽型 注氟 SIMOX 器件 电离 辐射效应 陷阱密度 界面 材料 漏电流 辐射能力 阈值电压漂移 nMOSFET pMOSFET 感生 发现 特性 辐照 样品 比较 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)02-0349-05 |
| 修稿时间： | 2004年2月12日 |
Ionizing Radiation Effect of Partially-Depleted Fluoridated SIMOX |
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| Li Ning,Zhang Guoqiang,Liu Zhongli,Fan Kai,Zheng Zhongshan,Lin Qing,Zhang Zhengxuan,Lin Chenglu.Ionizing Radiation Effect of Partially-Depleted Fluoridated SIMOX[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(2):349-353. |
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| Authors: | Li Ning Zhang Guoqiang Liu Zhongli Fan Kai Zheng Zhongshan Lin Qing Zhang Zhengxuan Lin Chenglu |
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| Abstract: | Ionizing radiation effects of SIMOX devices by implanting fluorine ions into buried oxide (BOX) are studied.Pre- and post-radiation I ds- V gs characteristics of different samples are used to analyse radiation hardness of fluoridated SIMOX.The experimental data show that the radiation-induced threshold voltage shift of pMOSFETs and nMOSFETs,as well as the radiation-induced increase of off-state leakage current of nMOSFETs can be restrained by fluorine implantion. |
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| Keywords: | SIMOX fluorine total-dose effect |
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