D-T中子发生器主要参数测试

使用LB6411剂量仪对D-T中子发生器中子参数展开测量研究。利用LB6411剂量仪建立中子发射率测量方法,获取D-T中子发生器中子发射率,并将其与活化片法测量结果进行比较,验证该方法可行性。分别改变D-T中子发生器离子源电流以及加速极电压参数,在不同参数条件下进行中子发射率计算,研究中子发射率与离子源电流、加速极电压参数的数学关系,建立D-T中子发生器中子发射率半经验计算模型。基于MCNP蒙特卡洛模拟计算开展吸收剂量以及D-T中子发生器中子品质因数的测量研究,为后续D-T中子发生器的应用提供指导。