| C波段4W砷化镓功率场效应晶体管 |
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| 引用本文： | 蒋幼泉,陈堂胜.C波段4W砷化镓功率场效应晶体管[J].固体电子学研究与进展,1995,15(1):6-10. |
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| 作者姓名： | 蒋幼泉 陈堂胜 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所，南京电子器件研究所 |
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| 摘 要： | 介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运用具有优良的功率合成效率。
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| 关 键 词： | 砷化镓，离子注入，功率场效应晶体管 |
C Band 4 W Power GaAs FETs |
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| Jiang Youquan, Chen Tangsheng, Li Zuhua,Chen Kejin, Sheng Wenwei.C Band 4 W Power GaAs FETs[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1995,15(1):6-10. |
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| Authors: | Jiang Youquan Chen Tangsheng Li Zuhua Chen Kejin Sheng Wenwei |
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| Abstract: | The design and fabrication of C-band 4 W power GaAs FETs aregiven in this paper. Some new techniques are discussed. Microwave properties ofthese devices are P(1dB)>4 W,G(1dw)6.5-7.5 dB and n(add)>35 %. These FETs are suitable for multi-chip use with higher power combining efficiency. |
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| Keywords: | GaAs Ion Implantation Power FET |
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