| 基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器 |
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| 作者姓名： | 崔博华 李一虎 熊永忠 |
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| 作者单位： | Terahertz Semiconductor Device Laboratory,China Academy of Engineering Physics,Chengdu Sichuan 611731,China,Terahertz Semiconductor Device Laboratory,China Academy of Engineering Physics,Chengdu Sichuan 611731,China and Terahertz Semiconductor Device Laboratory,China Academy of Engineering Physics,Chengdu Sichuan 611731,China |
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| 摘 要： | 基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器。测试结果中带宽和中心频率分别为20 GHz@139 GHz,20 GHz@168 GHz和26 GHz@324 GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的偏差很小;滤波器在中心频率的插入损耗为-6 dB@139 GHz,-5.5 dB@168 GHz和-5 dB@324 GHz。
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| 关 键 词： | 滤波器 太赫兹 硅锗双极-互补金属氧化物半导体 衬底集成波导 |
| 收稿时间： | 2014-10-30 |
| 修稿时间： | 2015-01-21 |
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