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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
GaAs衬底上β-Ga
2
O
3
纳米点阵薄膜的MOCVD制备
作者姓名:
陈威
焦腾
李赜明
刁肇悌
李政达
党新明
陈佩然
董鑫
作者单位:
吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室, 长春 130012
基金项目:
国家自然科学基金项目(61774072).*通信作者:董鑫E-mail:dongx@jlu.edu.cn
摘 要:
将热氧化与MOCVD工艺相结合,总结了一种在本征GaAs衬底上进行β-Ga
2
O
3
纳米点阵薄膜制备的工艺,该工艺不涉及金属催化剂与复杂刻蚀,工艺更为简单。使用扫描电子显微镜对所制备薄膜的形貌特征进行了表征与分析,发现所制备的纳米点阵薄膜呈现五方的柱状结构。对所制备样品进行了X射线衍射、拉曼振动、光致发光谱的测试,结果表明薄膜的晶体质量随着MOCVD生长温度与Ⅵ/Ⅲ比的提高而得到优化。使用有限元法(FEM)仿真验证了β-Ga
2
O
3
纳米点阵薄膜制备的高陷光特点。
关 键 词:
2O
3
"
name="
keyword"
>β-Ga
2
O
3
MOCVD
纳米点阵薄膜
收稿时间:
2022-05-18
点击此处可从《半导体光电》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体光电》下载全文
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