| 原子层沉积低温生长α-MoO3薄膜 |
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| 引用本文： | 成天乐,曹发,李佳,季小红.原子层沉积低温生长α-MoO3薄膜[J].半导体光电,2022,43(3):567-572. |
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| 作者姓名： | 成天乐 曹发 李佳 季小红 |
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| 作者单位： | 华南理工大学 材料科学与工程学院, 广州 510641 |
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| 摘 要： | 以六羰基钼和氧气为前驱体，通过等离子增强原子层沉积技术（PE-ALD）在硅基片上实现了α-MoO3薄膜的低温制备。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等手段对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行表征和分析。研究发现衬底温度和氧源脉冲时间对MoO3薄膜的晶体结构和表面形貌变化起关键作用。当衬底温度为170℃及以上时所制备的薄膜为α-MoO3;适当延长ALD单循环中的氧源脉冲时间有利于低温沉积沿（0k0）高度择优取向的MoO3薄膜。根据对不同厚度MoO3薄膜表面的原子力显微图片分析，MoO3薄膜为岛状生长模式。
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| 关 键 词： | 原子层沉积 氧化钼薄膜 低温沉积 3" α-MoO3" target="_blank">name="keyword">α-MoO3 |
| 收稿时间： | 2022/2/9 0:00:00 |
Low Temperature Growth of Polycrystalline Molybdenum Oxide Thin Films by Atomic Layer Deposition |
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| CHENG Tianle,CAO F,LI Ji,JI Xiaohong.Low Temperature Growth of Polycrystalline Molybdenum Oxide Thin Films by Atomic Layer Deposition[J].Semiconductor Optoelectronics,2022,43(3):567-572. |
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| Authors: | CHENG Tianle CAO F LI Ji JI Xiaohong |
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| Affiliation: | School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ALD MoO3 low temperature deposition polycrystalline thin films |
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