| GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究 |
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| 引用本文： | 李佳,梁静秋,金霞,孔庆峰,候凤杰,王维彪. GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究[J]. 光电子技术, 2006, 26(4): 246-249 |
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| 作者姓名： | 李佳 梁静秋 金霞 孔庆峰 候凤杰 王维彪 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机与物理研究所应用光学国家重点实验室,长春,130031;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院长春光学精密机与物理研究所应用光学国家重点实验室,长春,130031 |
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| 基金项目： | 吉林省科技大战计划项目 |
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| 摘 要： | 良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辨率等工作性能，高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键。本文分析比较了各种制备工艺，选择湿法腐蚀工艺，使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对GaAs进行了腐蚀，在二者配比为3：1的条件下，在GaAs衬底材料上制备了深宽比为2：1的隔离沟槽。腐蚀后芯片表面平整度、侧蚀等指标初步达到器件设计的要求。
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| 关 键 词： | GaAs 发光二极管阵列 高深宽比结构 湿法腐蚀 |
| 文章编号： | 1005-488X(2006)04-0246-04 |
| 收稿时间： | 2006-09-01 |
| 修稿时间： | 2006-09-01 |
The Fabrication of Isolation Grooves of LED Arrays on the GaAs |
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| LI Jia,LIANG Jing-qiu,JIN Xia,LONG Qing-feng,HOU Feng-jie,WANG Wei-biao. The Fabrication of Isolation Grooves of LED Arrays on the GaAs[J]. Optoelectronic Technology, 2006, 26(4): 246-249 |
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| Authors: | LI Jia LIANG Jing-qiu JIN Xia LONG Qing-feng HOU Feng-jie WANG Wei-biao |
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| Affiliation: | 1. State Key Laboratory of Applied Optics, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun , 130031, CHN 2. Graduate School of Chinese Academy of Science, Beijing, 100039, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs |
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