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TiN薄膜生长的无格点Kinetic Monte Carlo模拟
引用本文:吴广新,刘学杰,王新蒙. TiN薄膜生长的无格点Kinetic Monte Carlo模拟[J]. 真空科学与技术学报, 2006, 26(4): 299-302
作者姓名:吴广新  刘学杰  王新蒙
作者单位:1. 内蒙古科技大学机械工程学院,包头,014010
2. 内蒙古科技大学机械工程学院,包头,014010;IFF,University of Stuttgart,Stuttgart,70569,Germany
3. IFF,University of Stuttgart,Stuttgart,70569,Germany
摘    要:本文介绍了采用无格点Kinetic Monte Carlo(KMC)方法,模拟TiN薄膜在TiN(001)基底表面上外延生长的仿真结果。在此无格点KMC方法中,使用了Dimer算法在势能面中搜索鞍点和低能盆底。仿真的结果证实,此无格点KMC方法对于仿真二元薄膜外延生长是有效的。本文中还讨论了无格点KMC的计算量问题、运算过程中Dimer的初始位置问题和势能面中浅盆底问题。

关 键 词:无格点  Dimer方法
文章编号:1672-7126(2006)04-0299-04
修稿时间:2006-01-20

Off-Lattice Kinetic Monte Carlo Simulation of Initial Stage of TiN Film Growth
Wu Guangxin,Liu Xuejie,Engelbert Westkaemper,Wang xinmeng. Off-Lattice Kinetic Monte Carlo Simulation of Initial Stage of TiN Film Growth[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2006, 26(4): 299-302
Authors:Wu Guangxin  Liu Xuejie  Engelbert Westkaemper  Wang xinmeng
Abstract:Off-lattice kinetic Monte Carlo(KMC) simulation of the initial growth stage of TiN film on TiN(001) was performed.The saddle points and basins on the potential energy surface are tentatively located with the Dimer algorithm.The preliminary simulated results show that the off-lattice KMC works well to simulate epitaxial growth of binary films.
Keywords:KMC  Potential energy surface  TiN
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