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Si(111)衬底上六方YMnO3薄膜的制备与铁电性质
引用本文:刘越峰,郑海务,马兴平,王超,张华荣,顾玉宗. Si(111)衬底上六方YMnO3薄膜的制备与铁电性质[J]. 材料导报, 2010, 24(16)
作者姓名:刘越峰  郑海务  马兴平  王超  张华荣  顾玉宗
作者单位:河南大学物理系微系统物理研究所,开封,475004;河南大学基础实验教学中心,开封,475004;河南大学物理系微系统物理研究所,开封,475004
基金项目:国家自然科学基金,河南省科技攻关重点项目,河南省高等学校青年骨干教师资助计划,河南省教育厅自然科学研究计划,河南大学科研基金 
摘    要:采用化学溶液法在Si(111)衬底上制备了YMnO3薄膜.XRD结果表明,所制备的薄膜为六方纯相YMnO3,且具有部分择优取向生长.以Pt为顶电极,测试了YMnO3薄膜的电滞回线,结果表明,所制备的YMnO3薄膜具有良好的铁电性质.

关 键 词:六方YMnO3  薄膜  Si(111)  择优生长  电滞回线

Ferroelectric Property and Preparation of Hexagonal YMnO3 Thin Films Grown on Si (111) Substrate
LIU Yuefeng,ZHENG Haiwu,MA Xingping,WANG Chao,ZHANG Huarong,GU Yuzong. Ferroelectric Property and Preparation of Hexagonal YMnO3 Thin Films Grown on Si (111) Substrate[J]. Materials Review, 2010, 24(16)
Authors:LIU Yuefeng  ZHENG Haiwu  MA Xingping  WANG Chao  ZHANG Huarong  GU Yuzong
Abstract:
Keywords:Si(111)
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