| 光导型GaN/Si探测器的研制 |
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| 引用本文： | 江若琏,席冬娟,赵作明,陈鹏,沈波,张荣,郑有炓. 光导型GaN/Si探测器的研制[J]. 功能材料与器件学报, 2000, 6(3): 256-258 |
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| 作者姓名： | 江若琏 席冬娟 赵作明 陈鹏 沈波 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京210093 |
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| 基金项目： | 863计划，国家自然科学基金资助项目!（69987001，69636010，69806006） |
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| 摘 要： | 采用ＭＯＣＶＤ技术在Ｓｉ（１１１）衬底上生长ＧａＮ薄膜，经此材料制备成光导型Ｓｉ基ＧａＮ紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段２５０￣３６０ｎｍ有近于平坦的光电流响应，３６３ｎｍ附近有陡峭的截止边，３５７ｎｍ波长处５Ｖ偏压下的响应度高达６．９Ａ／Ｗ。响应度与偏压的变化关系表明，４Ｖ以前为线性增加，５Ｖ后达到饱和。
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| 关 键 词： | 响应度 光导型GaN／Si探测器 研制 MOCVD |
| 修稿时间： | : |
Fabrication of GaN/Si photoconductive detectors |
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| JIANG Ruo-lian,XI Dong-juan,ZHAO Zuo-ming,CHEN Peng,SHEN Bo,ZHANG Rong,ZHENG You-dou. Fabrication of GaN/Si photoconductive detectors[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2000, 6(3): 256-258 |
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| Authors: | JIANG Ruo-lian XI Dong-juan ZHAO Zuo-ming CHEN Peng SHEN Bo ZHANG Rong ZHENG You-dou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN/Si Detector Responsivility |
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