| ICP刻蚀技术及其在光电子器件制作中的应用 |
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| 引用本文： | 樊中朝,余金中,陈少武. ICP刻蚀技术及其在光电子器件制作中的应用[J]. 微细加工技术, 2003, 0(2): 21-28 |
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| 作者姓名： | 樊中朝 余金中 陈少武 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，北京100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69896260，69990540)；973资助项目(G20000366) |
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| 摘 要： | 简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀设备的结构和刻蚀机理，报道了ICP刻蚀硅、二氧化硅和Ⅲ—Ⅴ族材料的一些最新进展，重点介绍ICP刻蚀技术在光电子器件制作方面的进展和应用前景。
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| 关 键 词： | ICP 刻蚀 光电子器件 电感耦合等离子体 应用 |
| 文章编号： | 1003-8213(2003)02-0021-08 |
| 修稿时间： | 2003-03-04 |
Inductively Coupled Plasma Etching Technology and Its Application in Optoelectronic Devices Fabrication |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | etching ICP optoelectronic devices |
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