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| 半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究 | |
| 作者姓名： | 谢自力 夏德谦 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 报道了对ＬＥＣ法生长的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热稳定性检测结果，在８００℃以上温度条件下退火，发现ＧａＡｓ单晶的热稳定不但与处理的条件有关，还与单晶中杂质Ｃ的含量有关。 |
| 关 键 词： | 半绝缘 砷化镓 单晶 热稳定性 检测 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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