|
|||||
|
|
| MOCVD法生长Ⅲ—Ⅴ族化合物材料近红外光致发光的测量 | |
| 引用本文： | 刘学彦,高瑛.MOCVD法生长Ⅲ—Ⅴ族化合物材料近红外光致发光的测量[J].稀有金属,1994,18(3):217-219. |
| 作者姓名： | 刘学彦 高瑛 |
| 摘 要： | 本文利用近红外光致发光技术测量了ＭＯＣＶＤ生长的Ⅲ－Ⅴ族化合化物Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ和ＩｎＰ中的深能级发光，研究这些深能级发光对激发强度和温度的依赖关系；讨论了Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层深能级发光的辐射机理和来源，得出了ＩｎＰ外延层的Ｃ带发光的热激活能。 |
| 关 键 词： | Ⅲ－Ⅴ 化合物半导体 光致发光 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |