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| 无坩埚区熔法生长的无位错硅单晶中微缺陷形成的特征 | |
| 作者姓名： | 法. ЭС 切. ИХ |
| 作者单位： | 乌克兰国立扎波罗热大学 |
| 摘 要： | 无坩埚区熔法生长的无位错硅单晶中微缺陷形成的特征Э．С．法勒克维奇И．Ф．切沃勒（乌克兰国立扎波罗热大学）无位错硅单晶晶体结构的完美程度，即它们体内的宏观和微观缺陷的存在，乃是目前评定硅单晶质量的主要参数之一。结构缺陷的特征、浓度及分布限定了硅单晶的... |
| 关 键 词： | 硅单晶 无位钳 无坩埚区熔法 微缺陷 |
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