| 空位对普通和掺氮直拉硅单晶中氧沉淀形核的作用 |
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| 引用本文： | 姜翰钦,马向阳,杨德仁,阙端麟.空位对普通和掺氮直拉硅单晶中氧沉淀形核的作用[J].半导体学报,2008,29(10):1984-1987. |
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| 作者姓名： | 姜翰钦 马向阳 杨德仁 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 教育部长江学者和创新团队发展计划（批准号：IRT0651），新世纪优秀人才支持计划项目（批准号：NCET04-0537）资助项目。 |
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| 摘 要： | 研究了普通直拉（CZ）硅单晶和掺氮直拉(NCZ)硅单晶在氩气氛下进行1250℃/50s的快速热处理（RTP）后，再经600~1000℃的不同温区内的缓慢升温处理和1000℃保温处理后的氧沉淀行为. 研究表明，由RTP引入的空位在700~800℃间缓慢升温退火时对CZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著，而在800~900℃间缓慢升温退火时对NCZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著；在800℃以上，氮促进氧沉淀形核的作用比空位更强. 此外，提出了适用于CZ和NCZ硅片的基于高温RTP和低温缓慢升温热处理的内吸杂工艺.
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| 关 键 词： | 直拉硅单晶 氧沉淀 形核 空位 |
| 收稿时间： | 4/27/2008 2:11:44 PM |
| 修稿时间： | 5/21/2008 2:09:13 PM |
Effect of Vacancy on Nucleation for Oxygen Precipitation in Conventional and Nitrogen-Doped Czochralski Silicon |
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| Jiang Hanqin,Ma Xiangyang,Yang Deren and Que Duanlin.Effect of Vacancy on Nucleation for Oxygen Precipitation in Conventional and Nitrogen-Doped Czochralski Silicon[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(10):1984-1987. |
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| Authors: | Jiang Hanqin Ma Xiangyang Yang Deren and Que Duanlin |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China;State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China;State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China;State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Czochralski silicon oxygen precipitation nucleation vacancy |
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