| 氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理 |
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| 引用本文： | 胡成余,秦志新,冯振兴,陈志忠,杨华,杨志坚,于彤军,胡晓东,姚淑德,张国义. 氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理[J]. 半导体学报, 2005, 26(6): 1154-1158 |
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| 作者姓名： | 胡成余 秦志新 冯振兴 陈志忠 杨华 杨志坚 于彤军 胡晓东 姚淑德 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院，北京大学物理学院，北京大学物理学院技术物理系，北京大学物理学院，北京大学物理学院，北京大学物理学院，北京大学物理学院，北京大学物理学院，北京大学物理学院技术物理系，北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室，宽禁带半导体研究中心，北京100871，人工微结构和介观物理国家重点实验室，宽禁带半导体研究中心，北京100871，北京100871，人工微结构和介观物理国家重点实验室，宽禁带半导体研究中心，北京100871，人工微结构和介观物理国家重点实验室，宽禁带半导体研究中心，北京100871，人工微结构和介观物理国家重点实验室，宽禁带半导体研究中心，北京100871，人工微结构和介观物理国家重点实验室，宽禁带半导体研究中心，北京100871，人工微结构和介观物理国家重点实验室，宽禁带半导体研究中心，北京100871，北京100871，人工微结构和介观物理国家重点实验室，宽禁带半导体研究中心，北京100871 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) , 北京市科研项目 , 国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 用卢瑟福背散射（RBS）和同步辐射X射线衍射（XRD）研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化，并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制．研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化，发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN上形成外延结构以及O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用．在500℃时，Au的外延结构进一步改善，O进一步向样品内部扩散生成NiO,ρc也达到了最低值．但当合金温度升高到600℃时，金属-半导体界面NiO的大部分或全部向外扩散，从而脱离与p-GaN的接触，使ρc显著升高．
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| 关 键 词： | p型氮化镓；镍/金；比接触电阻；同步辐射；卢瑟福背散射 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)06-1154-05 |
| 修稿时间： | 2004-08-06 |
Investigation on Mechanism of Oxidized Au/Ni/p-GaN Ohmic Contact |
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| HU Chengyu,QIN Zhixin,Feng Zhenxing,Chen Zhizhong,Yang Hua,Yang Zhijian,Yu Tongjun,Hu Xiaodong,YAO Shude,ZHANG Guoyi. Investigation on Mechanism of Oxidized Au/Ni/p-GaN Ohmic Contact[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(6): 1154-1158 |
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| Authors: | HU Chengyu QIN Zhixin Feng Zhenxing Chen Zhizhong Yang Hua Yang Zhijian Yu Tongjun Hu Xiaodong YAO Shude ZHANG Guoyi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-GaN Ni/Au specific contact resistance synchrotron XRD RBS |
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