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| 厚度对a—Si：H薄膜性能的影响 | |
| 作者姓名： | 钱祥忠 |
| 作者单位： | 钱祥忠（电子科技大学,光电子技术系,四川,成都,610054；淮南工业学院,数理系,安徽,淮南,230001） |
| 基金项目： | 安徽省自然科学基金项目(99JL0191) |
| 摘 要： | 用等离子体增强化学气相沉积法在最佳工艺参数下在硼玻璃基片上沉积了厚度为1μm以下的不同厚度的a-Si:H薄膜。测量了薄膜厚度对它的光电性质的影响。结果表明，当膜厚增加时，a-Si:H薄膜暗电导、光电导和阈值电压增大，光学带隙和Raman谱的TA模与TO模峰值比减小，折射率几乎不变，光吸收系数和通断电流比先增大，达到最大值后又减小。 |
| 关 键 词： | a－Si：H薄膜 薄膜厚度 光学性质 电学性质 |
| 文章编号： | 1002-8935(2002)01-0040-03 |
| 修稿时间： | 2001-08-23 |
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