IRF711W/IRF7822高效HEXFET功率MOSFET

由IR公司(国际整流公司，International Rectifier)研制出的IRF7811W/IRF7822两款新型HEXFET功率MOSFET将降压式及隔离式直流-直流拓扑结构的效率提高了3%。采用新型带状沟槽工艺，能去耦器件导通电阻及电容，成功解决了要求极低导通电阻及栅电荷的功率MOSFET的制造问题。 IRF7811W控制场效应管及IRF7822同步场效应管，能使高电流降压变换器拓扑结构的元件数量减少25%～50%。而且能在更低温度下运行直流-直流变换器，还大大提高了功率密度。 在输入电压为12V、输出电压为1.4V、每管脚工作频率为700kHz的多相降压变换器中，可改善效率达3%，还大大减少了元件数量。将两个并联的IRF7822作为同步场效应管，两个IRF7811W作为控制场效应管，可在SO-8封装MOSFET中获得每管脚35A的输出电流。 在集成电路驱动的拓扑结构中，同时采用IR最新的IRF7822同步MOSFET及IR1176同步整流集成电路，隔离式变换器可在40A及1.5V输出电压环境下，并实现了85%的效率。