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氢还原铅硅酸盐玻璃表面层结构的研究
引用本文:韦亚一. 氢还原铅硅酸盐玻璃表面层结构的研究[J]. 电子与信息学报, 1992, 14(6): 661-665.
作者姓名:韦亚一
作者单位:中国科学院电子学研究所 北京
摘    要:本文应用X光电子能谱仪(XPS)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了经烧氢还原后铅硅酸盐玻璃(该玻璃就是微通道板次级电子发射层材料)中各元素浓度随深度的分布;还应用电子探针(EP)研究了体内元素分布,并讨论了不同烧氢还原温度所形成的发射层结构对微通道板电子倍增性能的影响;在此基础上作者提出了新的微通道板次级电子发射层结构。

关 键 词:微通道板   XPS(X光电子能谱)   AES(Auger电子能谱)   烧氢还原   元素深度分布   次级电子发射体
收稿时间:1991-06-12
修稿时间:1992-06-19

STUDY OF THE SURFACE STRUCTURE OF LEAD SILICATE GLASS REDUCED BY HYDROGEN
Wei Yayi. STUDY OF THE SURFACE STRUCTURE OF LEAD SILICATE GLASS REDUCED BY HYDROGEN[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(6): 661-665.
Authors:Wei Yayi
Affiliation:Institute of Electronics Academia Sinica Beijing 100080
Abstract:The XPS, AES and EP have been used to study the elemental depth-distributions of secondary eletron emission layer of lead silicate glass reduced by hydrogen. The samples treated at different temperatures have differences in their micro-structures. The effects of different reduced temperature have been discussed, and new model of the layer of secondary electron emitter has been suggested
Keywords:Micro-channel plate( MCP)  XPS (X-ray Photoelectron-Spectroscopy)  AES (Auger Electron Spectroscopy)  Hydrogen reduction  Depth-distribution of elements  Secondary electron emitter  
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