高纯碲中杂质的辉光放电质谱分析 |
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引用本文: | 唐利斌,荣百炼,姬荣斌. 高纯碲中杂质的辉光放电质谱分析[J]. 质谱学报, 2004, 25(Z1): 17-18 |
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作者姓名: | 唐利斌 荣百炼 姬荣斌 |
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作者单位: | 昆明物理研究所红外材料研发中心,云南,昆明,650223 |
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基金项目: | 云南省自然科学基金重点项目(2003E0012Z) |
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摘 要: | VG9000辉光放电质谱(GDMS)高的灵敏度和全元素覆盖的本领是其他分析手段无法比拟的,其检测限可达到10×10-15的量级,并且,VG9000 GDMS的一次分析即可得到包括常、微、痕、超痕量元素分析在内的全部测试结果.无疑,GDMS是高纯固体材料多元素分析的最强有力的手段之一.有研究表明:在其制备过程中有可能引入致命杂质.比如用垂直布里奇曼方法生长碲锌镉单晶[1],由于生长温度很高,石英容器中的Cu会向CZT中扩散,现已通过石英管内壁熏碳和镀BN的工艺有效地抑制了容器杂质的扩散[2].本工作拟对Ⅱ~Ⅵ族化合物半导体主要的原材料Te中杂质进行辉光放电质谱测试,并对相关结果进行了讨论.
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文章编号: | 1004-2997(2004)增刊-17-02 |
修稿时间: | 2004-07-28 |
Analysis of Impurities in High-purity Te by Glow Discharge Mass Spectrometry |
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Abstract: | |
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