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双层液相外延碲镉汞光电二极管
引用本文:国义.双层液相外延碲镉汞光电二极管[J].激光与红外,1981(5).
作者姓名:国义
摘    要:采用液相外延技术,在CdTe衬底上连续生长P-和n-型外延层,制成了高性能的HgCdTe光电二极管。对Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te(λ_(co)=4.0微米,200K)而言,这种二极管在高温下具有高的电阻面积(R_0A)乘积,已知道在283和200K时,R_0A乘积分别为1和30欧姆厘米~2,所生长的结型二极管的饱和电流密度达0.12安/厘米~2。

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