| 一种简化的E~2PROM存储管I—V模型 |
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| 引用本文： | 于宗光,魏同立.一种简化的E~2PROM存储管I—V模型[J].固体电子学研究与进展,1999,19(2):163-166. |
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| 作者姓名： | 于宗光 魏同立 |
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| 作者单位： | [1]华晶电子集团中央研究所 [2]东南大学微电子中心 |
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| 摘 要： | 提出一种ＦＬＯＴＯＸＥ２ＰＲＯＭ存储管的电流—电压模型，模型的模拟结果和实验结果相吻合，该模型为精确设计和利用Ｅ２ＰＲＯＭ单元提供了理论基础。
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| 关 键 词： | 电可擦可编程只读存储器 存储管电流—电压模型 设计 |
ASimplifiedIVModelofFLOTOXE2PROMCell |
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| YuZongguangYeShouyinFuBinXuJuyanXiaShurongHuangWeiXuZheng.ASimplifiedIVModelofFLOTOXE2PROMCell[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1999,19(2):163-166. |
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| Authors: | YuZongguangYeShouyinFuBinXuJuyanXiaShurongHuangWeiXuZheng |
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| Abstract: | Inthispaper,aFLOTOXE2PROMIVmodelispresented.Thesimulationresultsofthismodelfitthetestresultswell,sothismodelcanprovidethetheoreticalbasisfordesigningandusingE2PROMcells. |
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| Keywords: | E2PROMFLOTOXE2PROMCellCurrentvoltageModelDesignEEACC:1265 D |
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