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| HBI中基区内建电场的物理机制及其理论分析 | |
| 引用本文： | 孔德义,魏同立.HBI中基区内建电场的物理机制及其理论分析[J].固体电子学研究与进展,1999,19(3):254-259. |
| 作者姓名： | 孔德义 魏同立 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心 |
| 摘 要： | 计算了具有线性Ｇｅ分布的ＳｉＧｅ基区价带有效态密度和空穴浓度的分布，分析了基区内建电场的物理机制，分别采用Ｂｏｌｔｚｍａｎ统计和Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计给出了内建电场分布的表达式并进行了计算，最后讨论了基区重掺杂对电场的影响。 |
| 关 键 词： | 线性 锗分布 电场 HBT 双极性晶体管 |
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