| SiO_x、Si/Si_(1-x)Ge_x的横向磁阻和迁移率的无接触测量 |
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| 引用本文： | 褚幼令 盛篪. SiO_x、Si/Si_(1-x)Ge_x的横向磁阻和迁移率的无接触测量[J]. 固体电子学研究与进展, 1999, 19(1): 92-96 |
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| 作者姓名： | 褚幼令 盛篪 |
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| 作者单位： | [1]复旦大学物理系 [2]复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,应用表面物理国家重点实验室资助 |
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| 摘 要： | 用分子束外延技术在ｐ型Ｓｉ衬底上生长成了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层超晶格和掺铒（Ｅｒ）ＳｉＯｘ外延层，用无接触法测量了它们的横向磁阻，并且用拟合方法由横向磁阻计算了它们的迁移率。
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| 关 键 词： | 无接触测量 磁阻 霍尔迁移率 应变层超晶格 |
Contactless Measurement of Magnetoresistance and Calculating Method of the Hall Mobility for SiO x ,Si/Si 1- x Ge x |
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| Abstract: | Using Molecular Beam Epitaxy (MBE) technology, Si/Si 1- x Ge x strained superlattices and SiO x epitaxial layer doped Er are grown on p type silicon wafer. The magnetoresistance of these layers are measured by contactless method. The calculating method for the mobility in the layers is described. |
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| Keywords: | Contactless Measurement Magnetoresistance Hall Mobility Strained Superlattice |
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