| 固体C70/GaAs接触的界面态及整流特性 |
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| 引用本文： | 陈开茅,孙文红,武兰青,张伯蕊,吴恩,孙允希,乔永平.固体C70/GaAs接触的界面态及整流特性[J].功能材料与器件学报,2000,6(4):436-439. |
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| 作者姓名： | 陈开茅 孙文红 武兰青 张伯蕊 吴恩 孙允希 乔永平 |
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| 作者单位： | 北京大学物理系,北京,100871 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，19774003， |
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| 摘 要： | 在高真空系统中,将C70膜淀积在(100)晶向n型和p型GaAs衬底上,形成固体C70/n-GaAs 和C70/p-GaAs两种接触.电学测量表明两种接触均是强整流结,在偏压为±1V时,它们的整流比分别大于106和104,以及在固定正向偏压下,它们的电流都是温度倒数的指数函数,从中确定了它们的有效势垒高度分别为0.784eV和0.531eV.深能级瞬态谱(DLTS)和C-t测量发现在C70/GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0.640eV)和一个空穴陷阱H3(0.822eV),以及在近界面的固体C70中存在两个空穴陷阱H4(1.155eV)和H5(0.856eV).
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| 关 键 词： | 固体C70 GaAs 界面态 整流性质 空穴陷阱 |
| 修稿时间： | 2000－07－14 |
Interface states and rectification of solid C70/GaAs contacts |
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| CHEN Kai-mao,SUN Wen-hong,WU Lan-qing,ZHANG Bo-rui,WU En,SUN Yun-xi,QIAO Yong-ping.Interface states and rectification of solid C70/GaAs contacts[J].Journal of Functional Materials and Devices,2000,6(4):436-439. |
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| Authors: | CHEN Kai-mao SUN Wen-hong WU Lan-qing ZHANG Bo-rui WU En SUN Yun-xi QIAO Yong-ping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Solid C 70 GaAs Interface states Rectifying property |
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