世界知名的半导体材料和材料物理学家国家高技术新材料领域功能材料专家组组长中科院半导体所研究员、中国科学院院士——王占国

王占国男，1938年12月出生，河南镇平人。半导体材料和材料物理学家，中科院半导体所研究员，中科院院士。1962年毕业于南开大学物理系，同年被分配到中国科学院半导体研究所工作，从事半导体材料光电性质和半导体材料、器件辐照效应研究。1980年10月～1983年11月赴瑞典隆德大学固体物理系进修，从事半导体深能级物理和光谱物理研究。1986年任半导体所研究员，材料室主任：1990年任博士生导师，副所长；从i990年起先后任中科院半导体材料科学重点实验室主任、学术委员会主任；并先后被选为国际半导体和半绝缘材料会议，第七届国际化学束外延会议，国际半导体缺陷识别、成像与物理会议等多个顾问委员会委员；1990～2001年任国家“863”高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，因对“863”计划做出突出贡献，2001年“863”计划十五周年时，被科技部授予先进个人称号；1996～2000a被科技部聘任为国家S-863计划纲要建议软课题研究新材料技术领域专家组组长：2003年国家材料中长期科技发展战略研究新材料专家组组长；1996～2002国家自然科学基金信息学部半导体学科评审专家组组长：国家科技奖励评审专家；天沣经济技术开发区、河南郑州经济技术开发区等顾问：从1992年起先后任南京大学、北京师范大学、大连理工大学、西安交通大学、山东大学、河南大学和南开大学等多所高校兼职教授和山东大学、武汉理工大学、北京大学、清华大学、中山大学、中科院上海技术物理研究所和中科院上海微系统与信息技术研究所等十多个国家和部门的开放实验室学术委员会主任。