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| 具有MIS结构的n—AlGaAs／InGaAs／n—GaAs双调制掺杂赝HEMT | |
| 作者姓名： | 相奇 曾庆明 |
| 作者单位： | 西安交通大学微电子研究室，西安交通大学微电子研究室，机械电子部第十三研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所 西安710049，西安710049，河北 石家庄050051，北京100080，北京100080 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 调制掺杂 HEMT MIS结构 MIS－DHEMT |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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