| ZnSe-ZnTe应变层超晶格的Raman光谱研究 |
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| 引用本文： | 崔捷,王海龙,干福熹,韩和相,李国华,汪兆平.ZnSe-ZnTe应变层超晶格的Raman光谱研究[J].半导体学报,1992,13(3):167-173. |
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| 作者姓名： | 崔捷 王海龙 干福熹 韩和相 李国华 汪兆平 |
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| 作者单位： | 半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院上海光学精密机械研究所，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 北京100083，上海201800，北京100083，北京100083，北京100083 |
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| 摘 要： | 本文报道室温下的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体化合物 ZuSe-ZnTe应变层超晶格的 Raman光谱,得到纵光学声子频移和超晶格结构参数的关系.当超晶格每层厚度大于40A时,纵光学声子模频移随层厚变化不明显,基本稳定在一定值;当层厚小于40A时,纵光学声子模频率随层厚减小而相对其体材料值的变化越来越大,并且应力效应引起的频移比限制效应引起的红移要大得多.ZnSe纵光学声子模频率随层厚减小向低波数移动,ZnTe纵光学声子模频率向高波数移动.从Raman光谱估计这种应变层超晶格的临界厚度约为40A.
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| 关 键 词： | ZnSe－ZnTe 超晶格 拉曼光谱 |
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