|
|||||
|
|
| ZnSe-ZnS超晶格材料的光学特性 | |
| 引用本文： | 王海龙,崔捷,沈爱东,陈云良,徐梁,沈玉华.ZnSe-ZnS超晶格材料的光学特性[J].半导体学报,1992,13(10):595-599. |
| 作者姓名： | 王海龙 崔捷 沈爱东 陈云良 徐梁 沈玉华 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 上海201800 (王海龙，崔捷，沈爱东，陈云良，徐梁)，中国科学院上海光学精密机械研究所 上海201800(沈玉华) |
| 摘 要： | 本文首次报道了ZnSe-ZnS应变层超晶格的分子束外延生长.对材料进行了光荧光谱、远红外反射谱及喇曼光谱测量.得到了激子发射峰的移动随ZnSe阱宽及温度的变化以及发射峰半宽随温度的变化.首次在室温下测量到该材料的三级纵声学声子折叠模.通过对远红外反射谱的计算机拟合,确定了ZnSe、ZnS材料的几个基本声子参数.我们还首次在室温下观测到ZnSe-ZnS多量子阱标准具有明显的脉冲压缩效应. |
| 关 键 词： | 半导体材料 超品格半导体 光学特性 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |