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| AlGaAs/GaAs-MQW激光器光增益谱理论和实验 | |
| 作者姓名： | 张敬明 陈良惠 曾安 肖建伟 徐俊英 杨国文 李文康 徐遵图 |
| 作者单位： | 集成光电子学国家联合实验室中国科学院半导体研究所 北京100083(张敬明，陈良惠，曾安，肖建伟，徐俊英，杨国文，李文康)，集成光电子学国家联合实验室中国科学院半导体研究所 北京100083(徐遵图) |
| 摘 要： | 本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽L_x、Al_xGa_(1-x)As势垒层x值和带内弛豫时间τ_(in)对TE增益的影响.实验测量了多量子阱激光器的偏振光增益谱.理论与实验进行了比较. |
| 关 键 词： | 半导体 激光器 光增益 矩阵理论 |
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