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| InP和GaAs中的Mg~+离子注入 | |
| 引用本文： | 沈鸿烈,杨根庆,周祖尧,夏冠群,邹世昌.InP和GaAs中的Mg~+离子注入[J].半导体学报,1992,13(8):499-503. |
| 作者姓名： | 沈鸿烈 杨根庆 周祖尧 夏冠群 邹世昌 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 上海200050 (沈鸿烈，杨根庆，周祖尧，夏冠群)，中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 上海200050(邹世昌) |
| 摘 要： | 本文研究了Mg~+离子注入InP和GaAs中的电学性能和辐射损伤行为.范德堡霍尔方法测量和电化学C-V测量均表明,快速热退火方法优于常规热退火方法,共P~+注入结合快速热退火方法能进一步减小注入Mg杂质的再分布,使电激活率大大提高。卢瑟福沟道分析则表明,相同注入条件下,InP中的辐射损伤较GaAs中大得多,大剂量注入损伤经热退火难于完全消除. |
| 关 键 词： | InP GaAs 镁 离子注入 辐射损伤 |
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