| 快速退火Co/Si固相反应及CoSi_2薄膜特性研究 |
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| 引用本文： | 刘平,李炳宗,姜国宝,黄维宁,沈孝良,R.Aitken,K.Daneshvar.快速退火Co/Si固相反应及CoSi_2薄膜特性研究[J].半导体学报,1992,13(5):302-308. |
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| 作者姓名： | 刘平 李炳宗 姜国宝 黄维宁 沈孝良 R.Aitken K.Daneshvar |
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| 作者单位： | 复旦大学电子工程系，复旦大学电子工程系，复旦大学电子工程系，复旦大学电子工程系，复旦大学分析测试中心，University of North Carolina，Charlotte，NC 28223，USA，University of North Carolina，Charlotte，NC 28223，USA 上海200433，上海200433，上海200433，上海200433 |
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| 摘 要： | 本文研究了利用离子束溅射、快速退火等技术,通过 Co/Si 固相反应,形成高电导均匀CoSi_2薄膜.对Co/Si 固相反应过程,氧在其中的行为等进行了分析.制备的COSi_2薄膜电阻率达15μΩcm.在快速退火条件下,Co/(111)Si固相反应形成的薄膜具有择优晶向,表明存在固相外延机制.在 4—300 K范围内,对 CoSi_2薄膜的电学输运性质进行了系统研究,CoSi_2具有正值霍尔系数,表明其具有空穴导电机制.低温载流子霍尔迁移率达到 56 cm~2/V.3。
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| 关 键 词： | 固相反应 CoSi2薄膜 退火 外延机制 |
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