| 低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 肖建伟,徐俊英,杨国文,徐遵图,张敬明,陈良惠,周小川,蒋健,钟战天.低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器[J].半导体学报,1992,13(4):258-262. |
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| 作者姓名： | 肖建伟 徐俊英 杨国文 徐遵图 张敬明 陈良惠 周小川 蒋健 钟战天 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 北京100083
(肖建伟，徐俊英，杨国文，徐遵图，张敬明，陈良惠)，中国科学院表面物理实验室 北京100080
(周小川，蒋健)，中国科学院表面物理实验室 北京100080(钟战天) |
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| 摘 要： | 采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm~2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.
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| 关 键 词： | 半导体 激光器 应变层 量子阱结构 |
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