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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器
作者姓名:
肖建伟
徐俊英
杨国文
徐遵图
张敬明
陈良惠
周小川
蒋健
钟战天
作者单位:
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 北京100083(肖建伟,徐俊英,杨国文,徐遵图,张敬明,陈良惠),中国科学院表面物理实验室 北京100080(周小川,蒋健),中国科学院表面物理实验室 北京100080(钟战天)
摘 要:
采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm~2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.
关 键 词:
半导体 激光器 应变层 量子阱结构
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