| InSb(100)近表面区域自由载流子的累积现象:低能离子损伤的HREELS研究 |
| |
| 引用本文： | 丁明清,N. V. Richardson.InSb(100)近表面区域自由载流子的累积现象:低能离子损伤的HREELS研究[J].真空科学与技术学报,1993(5). |
| |
| 作者姓名： | 丁明清 N. V. Richardson |
| |
| 作者单位： | 北京真空电子技术研究所，利物浦大学表面科学研究中心 北京 100016 |
| |
| 摘 要： | 半导体中等离子激发的能量与其载流子浓度有一定的关系。利用高分辨率电子能量损失谱仪(HREELS)检测到的等离子激发能量的变化则可以反应出某些半导体表面区域载流子浓度的变化。对于InSb(100)的研究表明:(1)低能离子溅射(≤500eV)以及随后的退火处理都在n型和p型InSb(100)近表面区域形成一个自由载流子累积层;(2)低能离子的这种损伤效应延伸到100nm以下的深度。
|
| 关 键 词： | 离子轰击 等离子 自由载流子 累积 能级 |
AN ACCUMULATION PHENOMENON OF FREE CARRIERS IN THE NEAR-SURFACE REGION OF InSb(100)-A STUDY OF LOW ENERGY ION DAMAGE BY HREELS |
| |
| Ding Mingqing.AN ACCUMULATION PHENOMENON OF FREE CARRIERS IN THE NEAR-SURFACE REGION OF InSb(100)-A STUDY OF LOW ENERGY ION DAMAGE BY HREELS[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,1993(5). |
| |
| Authors: | Ding Mingqing |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Ion bombardment Plasma Free carrier Accumulation Energy level |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
