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电化学制备CuxS薄膜特性的研究
引用本文:郑建邦,曹猛.电化学制备CuxS薄膜特性的研究[J].半导体杂志,2000,25(2):13-16.
作者姓名:郑建邦  曹猛
作者单位:[1]西安交通大学电信学院 [2]西北工业大学应用物理系
摘    要:采用电化学方法在铜衬底上制备CuxS薄膜,在一定反应温度、电压、时间条件下,作为电极的铜片衬底可生成一层深蓝色的质量 地均匀的CuxS薄膜。实验发现,生成的CuxS薄膜主要居为Cu2S,具有良好的半导体性质,且其电导率与东膜退火温度有很大关系。通过XRD、SED等方法对样品的组织结构、光电性能进行了研究。

关 键 词:电化学沉积  硫化铜薄膜  光电性

Study of Characteristics of Cu_xS Thin Films by Electrochemical Preparation
Authors:ZHENG Jian-bang    CAO Meng  WU Hong-cai
Affiliation:ZHENG Jian-bang 1,2,CAO Meng 1,WU Hong-cai 1
Abstract:
Keywords:Electrochemical deposition  Cu_xS thin film  photoelectricity  
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