| 电化学制备CuxS薄膜特性的研究 |
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| 引用本文： | 郑建邦,曹猛.电化学制备CuxS薄膜特性的研究[J].半导体杂志,2000,25(2):13-16. |
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| 作者姓名： | 郑建邦 曹猛 |
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| 作者单位： | [1]西安交通大学电信学院 [2]西北工业大学应用物理系 |
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| 摘 要： | 采用电化学方法在铜衬底上制备ＣｕｘＳ薄膜，在一定反应温度、电压、时间条件下，作为电极的铜片衬底可生成一层深蓝色的质量 地均匀的ＣｕｘＳ薄膜。实验发现，生成的ＣｕｘＳ薄膜主要居为Ｃｕ２Ｓ，具有良好的半导体性质，且其电导率与东膜退火温度有很大关系。通过ＸＲＤ、ＳＥＤ等方法对样品的组织结构、光电性能进行了研究。
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| 关 键 词： | 电化学沉积 硫化铜薄膜 光电性 |
Study of Characteristics of Cu_xS Thin Films by Electrochemical Preparation |
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| Authors: | ZHENG Jian-bang CAO Meng WU Hong-cai |
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| Affiliation: | ZHENG Jian-bang 1,2,CAO Meng 1,WU Hong-cai 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Electrochemical deposition Cu_xS thin film photoelectricity |
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