| 射频PECVD高速沉积微晶硅薄膜 |
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| 引用本文： | 杨根,谷锦华,卢景霄,陈永生,张丽伟,吴芳,汪昌州,李红菊. 射频PECVD高速沉积微晶硅薄膜[J]. 真空科学与技术学报, 2007, 27(3): 250-253 |
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| 作者姓名： | 杨根 谷锦华 卢景霄 陈永生 张丽伟 吴芳 汪昌州 李红菊 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院,教育部材料物理重点实验室,郑州,450052 |
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| 摘 要： | 本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积微晶硅薄膜。系统研究了射频功率、气体总流量、沉积气压、硅烷浓度等沉积参数对薄膜沉积速率和晶化率的影响。通过沉积参数的优化,使微晶硅薄膜沉积速率达到了3/s左右。
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| 关 键 词： | 等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 高压耗尽法 高速沉积 |
| 文章编号： | 1672-7126（2007）03-250-04 |
| 修稿时间： | 2006-07-10 |
Growth of Microcrystalline Silicon Films by RF Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition |
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| Yang gen,Gu Jinhua,Lu Jingxiao,Chen Yongsheng,Zhang Liwei,Wu Fang,Wang Changzhou,Li Hongju. Growth of Microcrystalline Silicon Films by RF Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2007, 27(3): 250-253 |
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| Authors: | Yang gen Gu Jinhua Lu Jingxiao Chen Yongsheng Zhang Liwei Wu Fang Wang Changzhou Li Hongju |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Materials Physics of Ministry of Education, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD) Microcrystalline silicon thin films High pressure depletion High rate deposition |
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