| 从SiBONC陶瓷粉体中生长β-SiC纳米线 |
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| 引用本文： | 温广武,李峰,韩兆祥,白宏伟.从SiBONC陶瓷粉体中生长β-SiC纳米线[J].稀有金属材料与工程,2008,37(3):561-564. |
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| 作者姓名： | 温广武 李峰 韩兆祥 白宏伟 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学(威海),山东,威海,264209;哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001
2. 哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | 通过有机聚合物先驱体法使用四氯化硅(SiCl4)、苯甲醛(PhCHO)、烷基胺(RNH2)、三氯化硼(BCl3)为原料,通过有机-无机裂解转化制备了SiBONC陶瓷的纳米粉体.在对SiBONC陶瓷粉末坯体进行高温气压处理时,发现在坯体表面生长出大量β-SiC纳米线.通过XRD、FT-IR、SEM、TEM等分析测试手段分析了该纳米线的微观结构和物相组成,并初步推断了其生长机制.结果表明:该纳米线为结晶良好的β-SiC,其主要组成元素为Si、C及少量的O;其直径在20～200 nm之间,其平均长度在1 mm左右.
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| 关 键 词： | SiC 纳米线 气压烧结 SiBONC陶瓷 陶瓷粉体 生长机制 纳米线 Growth Nano Powder 平均长度 直径 元素 物相组成 结果 微观结构 测试手段 分析 表面生长 发现 处理 气压 高温 坯体 陶瓷粉末 |
| 文章编号： | 1002-185X(2008)03-0561-04 |
| 修稿时间： | 2007年3月3日 |
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