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| 嵌入a-Si∶H薄层的μc-Si/c-Sipn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟分析 | |
| 作者姓名： | 林鸿生 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系!合肥230026 |
| 摘 要： | 应用计算机数值模拟方法计算ｐ＋ （μｃ－Ｓｉ∶Ｈ） ／ｎ （ｃ－Ｓｉ） 及ｐ＋ （μｃ－Ｓｉ∶Ｈ） ／ｉ （ａ－Ｓｉ∶Ｈ） ／ｎ （ｃ－Ｓｉ） 异质结太阳能电池中的电场强度分布， 说明μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结电池制造中μｃ－Ｓｉ∶Ｈ 膜厚选择，进而对嵌入ａ－Ｓｉ∶Ｈ 薄层的μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结太阳能电池设计进行分析， 包括ａ－Ｓｉ∶Ｈ 薄层ｐ 型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择， 最后讨论μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结太阳能电池稳定性 |
| 关 键 词： | 异质结太阳能电池 Newton-Raphson解法 μc-Si∶H隙态密度分布 载流子收集 |
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