微波集成电路(MIC)中Au/NiCr/Ta多层金属膜粗糙化机理的AFM研究 |
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作者姓名: | 唐武 徐可为 王平 李弦 |
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作者单位: | [1]西安交通大学金属材料强度国家重点实验室710049 [2]西安空间无线电技术研究所710000 |
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摘 要: | Au/NiCr/Ta多层金属膜通过磁控溅射沉积在Si(111)基片上。XRD分析其晶体取向,SEM观察薄膜断面形貌,AFM研究薄膜表面粗糙度。结果表明薄膜表面粗糙度与沉积温度有关,随着沉积温度100℃→250℃的改变,薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程。根据不同的沉积温度探讨了薄膜表面粗糙化机理。
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关 键 词: | 微波集成电路 多层金属膜 原子力显微镜 表面粗糙度 粗糙化机理 金 钽 镍铬合金 磁控溅射 硅衬底 |
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