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一种带热滞回功能的低功耗CMOS过热保护电路
引用本文:孙俊岳,刘军,蒋国平. 一种带热滞回功能的低功耗CMOS过热保护电路[J]. 现代电子技术, 2008, 31(1): 168-171
作者姓名:孙俊岳  刘军  蒋国平
作者单位:大连理工大学,辽宁,大连,116023
摘    要:采用0.5 μm CMOS工艺,设计了一种具有热滞回功能的过热保护电路,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真.结果表明,电路的输出信号对电源的抑制能力很强,在3.5 V以上的电源电压工作下,过热温度点基本保持不变,正向约为155℃,负向约为105℃,同时,在27℃,5 V电源电压工作下,电路功耗约为0.25 mW.由于其高稳定和低功耗的特性,可广泛应用在各种集成电路内部.

关 键 词:CMOS  过热保护电路  低功耗  热滞回  热滞回  功能  低功耗  CMOS  过热保护电路  Hysteresis  Circuit  Thermal  集成电路  应用  特性  高稳定  电路功耗  过热温度  工作  电源电压  抑制能力  信号对  输出  结果
文章编号:1004-373X(2008)01-168-04
收稿时间:2007-06-13
修稿时间:2007-06-13

A Low Power consumption CMOS Thermal -shutdown Circuit with Hysteresis
SUN Junyue,LIU Jun,JIANG Guoping. A Low Power consumption CMOS Thermal -shutdown Circuit with Hysteresis[J]. Modern Electronic Technique, 2008, 31(1): 168-171
Authors:SUN Junyue  LIU Jun  JIANG Guoping
Abstract:
Keywords:CMOS   thermal - shutdown circuit    low   power consumption   hysteresis
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
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