| 应用于EEPROM的超薄SiO2 TDDB特性的研究 |
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| 引用本文： | 薛刚,吴正立,蒋志,曾莹,朱钧.应用于EEPROM的超薄SiO2 TDDB特性的研究[J].微电子学,1999,29(3):187-189,199. |
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| 作者姓名： | 薛刚 吴正立 蒋志 曾莹 朱钧 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子所 |
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| 摘 要： | 阐述了应用于ＥＥＰＲＯＭ中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性，比较和分析了不同的可靠性测试方法，并对超薄氧化层生长工艺的优化进行了探讨。
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| 关 键 词： | 半导体工艺 EEPROM 超薄SiO2 TDDB |
An Investigation into TDDB of Tunneling Oxide in EEPROM's |
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| XUE Gang,WU Zheng-Li,JIANG Zhi,ZENG Ying,ZHU Jun.An Investigation into TDDB of Tunneling Oxide in EEPROM's[J].Microelectronics,1999,29(3):187-189,199. |
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| Authors: | XUE Gang WU Zheng-Li JIANG Zhi ZENG Ying ZHU Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semiconductor technology EEPROM Tunneling oxide TDDB |
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